フッ素ラジカルによる薄膜加工方法及び装置並びにその超伝導構造体

開放特許情報番号
L2005008423
開放特許情報登録日
2005/8/27
最新更新日
2016/2/1

基本情報

出願番号 特願2003-382662
出願日 2003/11/12
出願人 独立行政法人情報通信研究機構
公開番号 特開2005-150232
公開日 2005/6/9
登録番号 特許第4041893号
特許権者 国立研究開発法人情報通信研究機構
発明の名称 フッ素ラジカルによるホットエレクトロンボロメータの作成方法及びそのホットエレクトロンボロメータ
技術分野 電気・電子、機械・加工
機能 機械・部品の製造
適用製品 超伝導ホットエレクトロンボロメータ
目的 エッチングに伴う薄膜特性の劣化を抑制し、安定して所望の数nmの膜厚に制御する薄膜加工方法、その装置、並びに、それによって製造される超伝導ホットエレクトロンボロメータ等の超伝導構造体を提供する。
効果 電気的に中性なフッ素ラジカルをエッチングに用いることによって、イオン衝撃による極薄膜特性の劣化を抑制し、安定して所望の数nmの膜厚に制御することができる。
技術概要
本発明の図に示すエッチング装置では、気密室内に設置されたサンプルの薄膜表面を、エッチングで加工するに当たって、エッチング種として、電気的に中性なフッ素ラジカルを用い、そのイオンソースの前部に、間隙をおいて遮蔽手段を位置させて、サンプルとイオンソースとを間接的に対峙させ、フッ素ラジカルを、イオンソースと遮蔽手段との間隙から、濃度分布に応じて拡散させて、サンプルに到達させることで、イオン衝撃を与えることなく、サンプル表面を所望の数nmの膜厚まで薄く加工する。サンプルに、薄膜抵抗測定用のパターンを予め作成しておき、エッチング中に、サンプルの薄膜抵抗を測定して、その残膜量をモニターしてもよい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 数十nmの超伝導薄膜をエッチングして、薄膜特性を劣化させることなく確実に、所望の膜厚の薄膜を作製することができる。
改善効果2 地球環境計測や電波天文学、THz通信などの分野において、THz周波数領域での受信器として有用な超伝導ホットエレクトロンボロメータなどの素子になどに利用できる。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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