炭化ケイ素半導体装置

開放特許情報番号
L2005008267
開放特許情報登録日
2005/8/19
最新更新日
2007/2/2

基本情報

出願番号 特願2005-154962
出願日 2005/5/27
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2006-332401
公開日 2006/12/7
発明の名称 炭化ケイ素半導体装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 縦型MOSFET、電力用半導体素子
目的 低濃度p型堆積膜により形成したゲート領域を有する炭化ケイ素縦型MOSFETにおいて、オン抵抗を低減する低濃度ベース領域を有する炭化ケイ素半導体装置の提供。
効果 低濃度p型堆積層内に形成された低濃度のゲート領域を有する炭化ケイ素縦型MOSFETの低濃度n型ベース領域の抵抗を低減できるため、オン抵抗を低減することができ、低いオン抵抗、かつ高耐圧の炭化ケイ素縦型MOSFETの製造が可能となる。また、低濃度p型堆積層に設けられた低濃度n型ベース領域が前記高濃度p↑+型不純物領域上に重ならないため、その部分からの抵抗成分を削除でき、オン抵抗を低減できる。
技術概要
本技術の炭化ケイ素半導体装置は、第1導電型の高濃度炭化ケイ素基板表面上に形成された第1導電型の低濃度の第1の炭化ケイ素堆積膜と、第1の炭化ケイ素堆積膜上に選択的に切り欠かれている第1の領域を有する第2導電型の高濃度ゲート領域からなる第2の炭化ケイ素堆積膜と、第1の領域とその上に形成された第1の領域の幅未満の幅を持つ第2の領域と第2導電型の低濃度ゲート領域と第2導電型の低濃度ゲート領域内に形成された第1導電型の高濃度ソース領域とからなる第2の炭化ケイ素堆積膜上の第3の炭化ケイ素堆積膜とを有する。また、第1の炭化ケイ素堆積膜に接し、第1の領域及び第2の領域に形成されている第1導電型の低濃度ベース領域と、少なくとも第3の炭化ケイ素堆積膜の表面上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して、少なくとも低濃度ゲート領域上に形成されたゲート電極と、第1導電型の炭化ケイ素基板の裏面に低抵抗接続されたドレイン電極と、第1導電型の高濃度ソース領域及び第2導電型の低濃度ゲート領域の一部に低抵抗接続されているソース電極とを有して構成されている。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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