ダイヤモンドデバイス及びその製造方法

開放特許情報番号
L2005008265
開放特許情報登録日
2005/8/19
最新更新日
2015/9/18

基本情報

出願番号 特願2005-154777
出願日 2005/5/27
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2006-332387
公開日 2006/12/7
登録番号 特許第4845086号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 p型表面伝導性酸素終端(111)ダイヤモンドの製造方法及び高周波・高出力デバイス
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 p型半導体、高周波・高出力デバイス、デバイス製造プロセス
目的 表面が平坦かつ低表面準位密度の(111)エピタキシャルダイヤモンド膜を成膜し、その表面に酸素終端処理を施すことで、大気中で安定な酸素終端表面上でp型表面伝導層の製造方法の提供。
効果 本技術の酸素終端(111)ダイヤモンド表面の高キャリア濃度を有するp型表面伝導層は、表面が酸素原子で終端されているため水素終端に比べ大気中で安定であることから、水素終端上の表面伝導層よりも電気的特性の劣化などが少ない安定したデバイス動作を期待できる。また、デバイス製造時にp型半導体を得るに当たって、不純物添加や注入の工程を必要とせず、デバイス製造プロセスを簡略化できる。
技術概要
 
本技術は、エピタキシャル(111)ダイヤモンド表面を、酸素終端したことを特徴とするp型表面伝導性酸素終端(111)ダイヤモンドを提供するもので、エピタキシャルダイヤモンド膜表面は、ダイヤモンド(111)単結晶基板上に気相成長法で成長させた平坦かつ低表面準位密度のホモエピタキシャルダイヤモンド膜表面とすることができる。そして、本技術では、ダイヤモンド(111)単結晶基板上に炭素含有ガスによる気相成長法で成長させた平坦かつ低表面準位密度のホモエピタキシャルダイヤモンド膜の表面を、酸素原子で終端させてp型表面伝導性酸素終端(111)ダイヤモンドを製造している。また、炭素含有ガスはメタンであって、濃度が0.25%以下であり、酸素終端処理の手段が、混酸による煮沸洗浄処理、酸素プラズマによる処理、大気中アニール方法から選ばれるひとつとすることができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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