| 出願番号 |
特願2005-153233 |
| 出願日 |
2005/5/26 |
| 出願人 |
独立行政法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2006-327862 |
| 公開日 |
2006/12/7 |
| 登録番号 |
特許第4613314号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
単結晶の製造方法 |
| 技術分野 |
無機材料、金属材料、電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
簡便な操作で得られ、大電力・高周波電子素子、高温半導体素子、耐環境電子素子等として広い分野で利用される。 |
| 目的 |
ＣＶＤ法を利用し、比較的短時間に低コストで大型のダイヤモンド単結晶を得ることが可能な新規な製造方法の提供。 |
| 効果 |
従来の方法では作製することが困難であった大型のダイヤモンド単結晶を、低コストで、しかも短時間に製造することができ、その工業的利用価値は極めて大きい。 |
技術概要
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｛１００｝面が優先的に成長する単結晶のエピタキシャル成長法において、（１）単結晶の｛１００｝基板上に結晶を成長させ、（２）成長した結晶の側面に、成長方向の｛１００｝面と異なる他の｛１００｝面に平行な表面を形成し、（３）形成された｛１００｝面上に結晶を成長させる、ことによる単結晶の製造方法であって、（２）及び（３）の工程を１回または２回以上行うことにより、単結晶を製造する。尚、（４）水素、炭素及び窒素を構成元素として含む反応ガスを用いてＣＶＤ法によって、ダイヤモンド単結晶の｛１００｝基板上にダイヤモンド単結晶をエピタキシャル成長させ、（５）成長したダイヤモンド単結晶の側面に、成長方向の｛１００｝面に対して垂直な他の｛１００｝面に平行な表面を形成し、（６）形成された｛１００｝面上に、水素、炭素及び窒素を構成元素として含む反応ガスを用いたＣＶＤ法によってダイヤモンド単結晶を成長させて、ダイヤモンド単結晶を製造するに際し、（５）及び（６）の工程を１回または２回以上行って、ダイヤモンド単結晶を製造する。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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