マグネシウムシリサイドの合成方法および熱電素子モジュールの製造方法

開放特許情報番号
L2005007341
開放特許情報登録日
2005/7/8
最新更新日
2006/8/11

基本情報

出願番号 特願2002-171339
出願日 2002/6/12
出願人 国立大学法人静岡大学
公開番号 特開2004-018274
公開日 2004/1/22
登録番号 特許第3772206号
特許権者 国立大学法人静岡大学
発明の名称 マグネシウムシリサイドの合成方法および熱電素子モジュールの製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 熱電素子モジュール
目的 Si塊を所望の形状に加工し、これをマグネシウム雰囲気中で加熱して、p型又はn型に伝導型が制御されたマグネシウムシリサイドを得る。
効果 所望の形状のマグネシウムシリサイドを、簡便で安価に合成でき、高効率の熱電素子モジュールを安全にかつ簡単に製造する。
技術概要
Si塊を、例えばワイヤーソウ、デスクカッター、カッターナイフなどを用いて所望の形状に加工する。加工したSi塊3を、例えば石英製容器1内に、Mg金属2と充填し、真空装置内で200〜1102℃の温度で熱処理し、Mgを蒸発させて、Mg↓2Siを成長させる。ドーパントを導入させるには、Si塊にn型の場合にはSb、p型の場合にはCu、Agを導入しておいて、Mg蒸気と接触させるのが好ましい、またドーパントを特に導入しなくても、n型となる。p型Mg↓2Siと、n型Mg↓2Siとをコンタクトで接続し交互に配置して、支持体に設置し、熱電素子モジュールとすることが出来る。
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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