金属層上にエピタキシャル成長した半導体層を形成する方法及びこの方法を用いて製造した光放出半導体デバイス

開放特許情報番号
L2005007318
開放特許情報登録日
2005/7/8
最新更新日
2005/7/8

基本情報

出願番号 特願平10-077140
出願日 1998/3/25
出願人 静岡大学長
公開番号 特開平11-274561
公開日 1999/10/8
登録番号 特許第2884083号
特許権者 国立大学法人静岡大学
発明の名称 金属層上にエピタキシャル成長した半導体層を形成する方法及びこの方法を用いて製造した光放出半導体デバイス
技術分野 電気・電子、機械・加工
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 光放出半導体デバイス、金属−半導体の層構造体
目的 絶縁性基板上に形成した金属層上に単結晶構造の半導体層を直接形成できる金属層上に単結晶の半導体層を形成する方法を提供する。
効果 消費電力が少なく且つ動作電圧が一層低い光放出半導体デバイスを製造することができる。
技術概要
本発明による金属層上に単結晶の半導体層を形成する方法においては、層形成されるべき表面を有する絶縁性基板上に金属層を形成し、この金属層(11)上に単結晶構造の半導体層を形成するに当たり、単結晶の結晶構造を有する絶縁性基板(10)上に、エピタキシャル成長した金属層(11)を形成し、この金属層上に、エピタキシャル成長法により単結晶の結晶構造を有する半導体層(12)を形成するものである。下地の金属層と上側の半導体層との間の格子定数の差が大きい場合に格子定数の差を緩和するためにバッファ層(12a)を設けることも有効である。特定の組合せでは、下側の層(11)と上側の層(12)との間で合金化が生ずるのを防止する有用な作用も果たすことができる。
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 デバイスの効率を高めることができ、製造工程を大幅に改善することができる。
改善効果2 消費電力が少なく且つ動作電圧が一層低い光放出半導体デバイスを提供できる。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【有】   
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