新規チオエーテル誘導体、その製造方法及び用途

開放特許情報番号
L2005007157
開放特許情報登録日
2005/7/1
最新更新日
2015/12/21

基本情報

出願番号 特願2001-353972
出願日 2001/11/20
出願人 独立行政法人情報通信研究機構
公開番号 特開2002-220468
公開日 2002/8/9
登録番号 特許第3653535号
特許権者 国立研究開発法人情報通信研究機構
発明の名称 新規チオエーテル誘導体、その製造方法及び用途
技術分野 有機材料、情報・通信
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造
適用製品 新規チオエーテル誘導体、電子材料
目的 光又は電気エネルギーによる刺激を受けると直ちに発光により応答する例えばメモリーのスイッチ機構材料として有用な新規デンドリマー化合物を提供する。
効果 光又は電気エネルギーによる刺激を受けると直ちに発光により応答する新規デンドリマー化合物を合成できる。
技術概要
本発明のS原子含有デンドリマー化合物は、樹状構造の外側(コアと反対側)に表面官能基として、立体的にバルキーな置換基(好ましくはt−ブチル基)を配することで、酸化による劣化が少なく、デンドリマー化合物の耐久性を増大して高寿命化したものであり、工業的に有利に製造する方法を提供するものである。本発明のS原子含有デンドリマー化合物の一例を図1に示す。またS原子含有デンドリマー化合物を用いた単一電子トンネル素子は図2に示すように、基板1上に下部電極2、下部ポリイミドLB膜層3、中間電極層4、上部ポリイミドLB膜層5及び上部電極6を順次積層することにより、単一電子トンネル素子を構成する。下部ポリイミドLB膜層3の上に、中間電極層4として本発明デンドリマー分子を挿入したポリイミドLB膜を単分子層形成する。その際に、本発明デンドリマー分子を中間電極として機能させるためには、ポリイミドLB膜中に本発明デンドリマー分子を適当な濃度(0. 01‐1%)で使用することが必要である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【改善】
改善効果1 光又は電気エネルギーによる刺激を受けると、直ちに発光により応答し、例えばメモリーのスイッチ機構材料として有用である。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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