微細パターンの形成方法

開放特許情報番号
L2005007138
開放特許情報登録日
2005/7/1
最新更新日
2015/12/3

基本情報

出願番号 特願2000-256315
出願日 2000/8/25
出願人 国立研究開発法人情報通信研究機構
公開番号 特開2002-075825
公開日 2002/3/15
登録番号 特許第3316513号
特許権者 国立研究開発法人情報通信研究機構
発明の名称 微細パターンの形成方法
技術分野 電気・電子、化学・薬品、その他
機能 表面処理、制御・ソフトウェア、その他
適用製品 微細パターンの形成装置、原子リソグラフィー
目的 従来の方法と同様に、光と原子の相互作用を用いているが、自由なパターンを一括して描画することができる微細パターンの形成方法を提供する。
効果 エバネッセント波とガス体の構成要素との相互作用を用いるため、従来の方法の様に反射板を用いた定在波を用いなくても、描画面に、原子を所望のパターンで定着できるようになった。
技術概要
本発明の微細パターンの形成方法は、透過率を持つ平板の表面に、平板に吸着する程度に低速な原子ビームを照射し、その裏面からは、その原子の共鳴周波数から数GHz程度、高い周波数に離調したレーザー光を平板に斜めに照射して全反射を生じさせ、そのとき平板表面に出射するエバネッセント波強度の強い領域では、原子ビームを反射し、弱い領域では吸着せしめるものである。そのパターンを、ホログラム像で作ることにより、基板でのレーザービーム径に応じたサイズで所望の原子描画パターンを作成でき、光の回折限界まで小さくできることを特徴とする。図は真空チャンバー100内で行なう原子リソグラフィーの概略を示す模式図である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【改善】
改善効果1 エバネッセント波とガス体の構成要素との相互作用を用いるため、従来の方法の様に反射板を用いた定在波を用いなくても、描画面に、原子を所望のパターンで定着できるようになった。
改善効果2 エバネッセント波とガス体の構成要素との相互作用を用いて、描画面に、原子、分子あるいは微粒子を定着した表面を、引き続く次の工程に適切な物質に置きかえることができるようになった。
改善効果3 エバネッセント波とガス体の構成要素との相互作用を用いて、光の強弱パターンを、描画面に、原子の有無として定着できるようになった。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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