高品質Bi系酸化物超電導薄膜の作製法

開放特許情報番号
L2005007093
開放特許情報登録日
2005/7/1
最新更新日
2015/9/18

基本情報

出願番号 特願2005-099504
出願日 2005/3/30
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2006-273699
公開日 2006/10/12
登録番号 特許第4572386号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 高品質Bi系酸化物超電導薄膜の作製法
技術分野 無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 簡便な操作で得られ、超電導体、超電導体を用いたジョセフソン素子等として広い分野で利用される。
目的 Bi酸化物超電導体を用いて高性能な積層型ジョセフソン接合を得るために、高品質なa軸(またはb軸)配向したBi系酸化物超電導薄膜の作製法の提供。
効果 小さい電力で高速スイッチ動作が行え、高密度集積回路に生ずる発熱も小さく、高速な演算が可能となり、その産業的利用価値は極めて大きい。
技術概要
LaSrAlO↓4、LaSrGaO↓4、α−Al↓2O↓3またはNdAlO↓3等の基板上に、Bi↓2Sr↓2Ca↓2Cu↓3O↓(10±X)(Xは、1より小さい正の数)またはBi↓2Sr↓2CuO↓(6±Y)(Yは、1より小さい正の数)薄膜等の酸化物超電導薄膜を作製する方法において、この薄膜の単結晶の格子定数は、基板の単結晶の格子定数の約整数倍であり、基板は、傾斜基板であることにより、酸化物超電導薄膜を作製する。尚、第1の温度において、薄膜のヘテロエピタキシャル成長を行い、次に、薄膜の上に、第1の温度よりも高い第2の温度において、薄膜のホモエピタキシャル成長を行って、酸化物超電導薄膜を作製し、更に、酸化物超電導薄膜を用いて、ジョセフソン素子を作製する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT