半導体素子並びに半導体素子への異種元素の導入方法及び装置

開放特許情報番号
L2005007028
開放特許情報登録日
2005/7/1
最新更新日
2006/10/20

基本情報

出願番号 特願2005-070464
出願日 2005/3/14
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2006-253534
公開日 2006/9/21
発明の名称 半導体素子並びに半導体素子への異種元素の導入方法及び装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体素子並びに半導体素子への異種元素の導入装置
目的 ドーパントの拡散を防ぎ、浅いドーピングプロファイルを形成する方法を提供する。
効果 半導体素子に導入するドーパントイオンのみを選別して、100eV未満の任意のイオンエネルギーに制御し、それを半導体素子に照射させる方法を用い、さらに10↑−↑6Pa以下好ましくは10↑−↑7Pa以下の真空度で、100eV未満のエネルギーで半導体素子に照射することにより、半導体素子に損傷を与える事なく元素の濃度を制御して導入することができるため、結晶性の回復処理が不要であり、ソースドレイン・エクステンションおよびチャネルにおいて浅いドーピングプロファイルの形成が可能となる。
技術概要
図1に示すような、イオンを生成するイオン源1、イオンをイオン源から引き出す機構、イオンの質量分離機構2、イオン偏向機構3、イオン減速機構5、及びイオンを素子に照射させる真空容器4からなる製造装置を作製する。イオンの質量分離機構2として、セクター型の電磁石を用いる。また、イオン偏向機構3としてセクター型の電磁石を、イオン走査機構およびイオン減速機構5としては静電場を形成する電極を用いる。さらに、イオン源1部分に2台、質量分離機構2とイオン収束機構の間に1台、イオン収束機構とイオン偏向機構3の間に1台、及び半導体素子6を設置する真空容器部分に1台クライオポンプを取り付け、さらにクライオポンプの前段ポンプとしてロータリーポンプとターボ分子ポンプからなる排気機構を取り付け、真空排気を行う。これらの真空排気機構により、到達真空後は半導体素子6を設置する真空容器部分(図1中V1)で3×10↑−↑8Pa、イオン偏向機構前段部分(図1中V2)で8×10↑−↑7Pa、質量分離機構部分で5×10↑−↑5Paとする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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