炭化珪素トランジスタ装置及びその製造方法

開放特許情報番号
L2005007004
開放特許情報登録日
2005/7/1
最新更新日
2015/9/17

基本情報

出願番号 特願2005-065469
出願日 2005/3/9
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2006-253292
公開日 2006/9/21
登録番号 特許第5196513号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 炭化珪素トランジスタ装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 炭化珪素トランジスタ装置
目的 容易にデバイスサイズを微細化し、デバイスのオン特性を改善することが出来る炭化珪素トランジスタ装置及びその製造方法を提供する。
効果 高濃度p型ゲート領域を完全に埋め込んでしまう構造を実現することにより、従来型の炭化珪素トランジスタに必要な露光合わせ精度や余分な設計マージンを取る必要が無くなるため、デバイスの極限までの微細化が可能となり、デバイスのオン特性が大幅に改善される。また、高濃度n型ソース領域をイオン注入により形成することにより、更なるオン特性の改善が可能となる。また、低濃度n型ドリフト層と低濃度n型チャネル領域の不純物濃度を操作することによりノーマリオンからノーマリオフへの幅広いデバイス設計が可能となる。
技術概要
図1は炭化珪素トランジスタ装置の断面構造を示した図である。炭化珪素トランジスタ装置は、高濃度n型炭化珪素基板2と、高濃度n型炭化珪素基板2表面上にエピタキシャル成長により形成された低濃度n型ドリフト層3と、低濃度n型ドリフト層3上の互いに離間した複数の高濃度p型ゲート領域4と、同一のエピタキシャル成長工程により同一不純物濃度を有するように形成され、互いに隣り合った前記高濃度p型ゲート領域4の間に位置する低濃度n型チャネル領域7と、低濃度n型チャネル領域7及び高濃度p型ゲート領域4上部に位置する低濃度n型領域1 9と、低濃度n型領域1 9上にあってn型不純物イオン注入により形成された高濃度n型ソース領域5と、高濃度n型ソース領域5上に形成されたソース電極6、高濃度n型炭化珪素基板2の裏面に形成されたドレイン電極1、及び高濃度p型ゲート領域4に電気的に接続されたゲート電極8から構成されている。図2は炭化珪素トランジスタ装置の製造方法を示した図である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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