単層カーボンナノチューブおよび配向単層カーボンナノチューブ・バルク構造体ならびにそれらの製造方法・装置および用途

開放特許情報番号
L2005006998
開放特許情報登録日
2005/7/1
最新更新日
2018/1/8

基本情報

出願番号 特願2006-527894
出願日 2005/7/27
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 WO2006/011655
公開日 2006/2/2
登録番号 特許第4621896号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 単層カーボンナノチューブおよびその製造方法
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 電子デバイス材料、光学素子材料、導電性材料、生体関連材料、機能性材料
目的 強いファンディルスワールス力のために単層カーボンナノチューブは非常にくっつきやすく、例えば不純物を除く精製中に容易に無秩序・無配向のバルク構造体を構成してしまい、一度できた無秩序・無配向のバルク構造体を再構築することが、例えば、単層カーボンナノチューブを溶液中に分散することの困難さ等により、著しく困難であることに鑑み、高純度、高比表面積のカーボンナノチューブ(特に配向した単層カーボンナノチューブ・バルク構造体)およびその製造方法・装置の提供。
効果 単層カーボンナノチューブは、ナノ電子デバイス、ナノ光学素子やエネルギー貯蔵等への応用において極めて有用である。
技術概要
この技術では、単層カーボンナノチューブは、純度が98mass%以上、好ましくは99mass%以上、さらに好ましくは99.9mass%以上であるとするものである。ここで、純度とは、生成物中のカーボンナノチューブの質量%(mass%)で表される。かかる純度の測定は、蛍光X線をもちいた元素分析結果より計測される。単層カーボンナノチューブは、比表面積が600m↑2/g以上1300m↑2/g以下とする。また、この単層カーボンナノチューブは配向したものとすることができ、好ましくは基板上に垂直配向したものとすることができる。垂直配向した単層カーボンナノチューブは、触媒や副生成物等の混入等が抑えられ、高純度化されたもので、最終製品としての純度はこれまでにないものである。しかも基板上に成長させた場合には、基板または触媒から容易に剥離させることができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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