| 出願番号 |
特願2006-527894 |
| 出願日 |
2005/7/27 |
| 出願人 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
WO2006/011655 |
| 公開日 |
2006/2/2 |
| 登録番号 |
特許第4621896号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
単層カーボンナノチューブおよびその製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子、無機材料 |
| 機能 |
機械・部品の製造、材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
電子デバイス材料、光学素子材料、導電性材料、生体関連材料、機能性材料 |
| 目的 |
強いファンディルスワールス力のために単層カーボンナノチューブは非常にくっつきやすく、例えば不純物を除く精製中に容易に無秩序・無配向のバルク構造体を構成してしまい、一度できた無秩序・無配向のバルク構造体を再構築することが、例えば、単層カーボンナノチューブを溶液中に分散することの困難さ等により、著しく困難であることに鑑み、高純度、高比表面積のカーボンナノチューブ（特に配向した単層カーボンナノチューブ・バルク構造体）およびその製造方法・装置の提供。 |
| 効果 |
単層カーボンナノチューブは、ナノ電子デバイス、ナノ光学素子やエネルギー貯蔵等への応用において極めて有用である。 |
技術概要
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この技術では、単層カーボンナノチューブは、純度が９８ｍａｓｓ％以上、好ましくは９９ｍａｓｓ％以上、さらに好ましくは９９．９ｍａｓｓ％以上であるとするものである。ここで、純度とは、生成物中のカーボンナノチューブの質量％（ｍａｓｓ％）で表される。かかる純度の測定は、蛍光Ｘ線をもちいた元素分析結果より計測される。単層カーボンナノチューブは、比表面積が６００ｍ↑２／ｇ以上１３００ｍ↑２／ｇ以下とする。また、この単層カーボンナノチューブは配向したものとすることができ、好ましくは基板上に垂直配向したものとすることができる。垂直配向した単層カーボンナノチューブは、触媒や副生成物等の混入等が抑えられ、高純度化されたもので、最終製品としての純度はこれまでにないものである。しかも基板上に成長させた場合には、基板または触媒から容易に剥離させることができる。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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