微細構造作製方法及び装置

開放特許情報番号
L2005006982
開放特許情報登録日
2005/7/1
最新更新日
2011/3/4

基本情報

出願番号 特願2005-055976
出願日 2005/3/1
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2006-239787
公開日 2006/9/14
発明の名称 被加工基板の湿式エッチング方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 微細構造作製装置
目的 照射条件の異なる集束イオンビームを被加工基板上に照射し、湿式エッチングを行って被加工基板上に集束イオンビーム(FIB)照射条件に応じてエッチング深さの異なる加工物を形成する被加工基板の湿式エッチング法を提供する。
効果 被加工基板上に照射条件を異ならせてFIBを照射した後、湿式エッチングを行って被加工基板表面に凹凸を形成するものであるので、複雑な構造のマスクやフォトリソグラフィ工程を必要とせず、簡単な方法により、微細な立体構造を形成することができる。したがって、マイクロレンズや回折格子の必要な光学、MEMSなどのマイクロマシーン技術、半導体製造技術や微細金型などの幅広い技術分野において多様な応用が期待できる。
技術概要
照射条件の異なる集束イオンビーム(FIB)を被加工基板上に照射し、湿式エッチングにより照射部を選択的にエッチングする微細構造形成において、被加工基板上に集束イオンビーム照射の有無および集束イオンビーム照射条件に応じてエッチング深さの異なる加工物を形成する被加工基板の湿式エッチング装置である。図1はエッチング方法の処理の流れを示すフローチャートである。第1ステップS1では、単結晶シリコン(100)面にFIBを照射する。その際に、形成すべき凹部の深さに応じてFIBのドーズ量、加速電圧を調整する。FIBのイオン種としてはGa↑+が用いられる第2ステップS2ではアセトン、純水を用いた超音波洗浄を行う。第3ステップS3では超音波振動を加えたHF水溶液に浸漬して単結晶シリコン基板のFIB照射面をエッチングする。このHF水溶液の水温は室温(23℃)程度である。その後確認のために、第4ステップS4においてAFM(原子間力顕微鏡)により形成された段差を観測する。エッチング処理前後の断面図を図2に示す。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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