有機半導体装置

開放特許情報番号
L2005006973
開放特許情報登録日
2005/7/1
最新更新日
2015/9/17

基本情報

出願番号 特願2005-049759
出願日 2005/2/24
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2006-237271
公開日 2006/9/7
登録番号 特許第4635181号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 有機半導体装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 有機半導体装置
目的 単一の有機半導体層にP型として動作する電極と、N型として動作する電極を併せ持つ高性能の有機半導体装置を実現する。
効果 有機半導体装置は、安価に製造することが可能であり、経済性が優先される場合には有用である。また有機半導体装置は、大面積の電子装置を作ることが容易であること、製造工程に高温プロセスを必要としないことからプラスチック基板上への形成が可能であること、また機械的な折り曲げに対し素子特性を劣化させないなどの特性を持つため、シリコン半導体装置では不可能な、大面積で機械的にフレキシブルな電子装置を製造することが可能である。
技術概要
有機半導体装置の中でもP型及びN型の二つの有機半導体薄膜電界効果トランジスタからなる相補型論理回路の一種であるCMOSインバーター回路は、図1の上面外観図及び図2の断面図に示すような構造あるいは図3の断面図に示すような構造を有する。そして、ゲート電極に相当する接点1は、基板又は基板上に形成された導体膜20を介して、誘電体層30と接触している。誘電体材料には、周知の材料である例えば二酸化珪素、窒化珪素、ポリイミド、ポリエチレン、ポリパラキシリレン(パリレン)、酸化アルミニウムなどが使用される。また図4の断面図に示すP型及びN型の二つの有機半導体単結晶トランジスタからなるCMOSインバーター回路では、有機半導体単結晶層50上に接点2、3、4、5を介して誘電体層30が形成される。図1は、P型有機半導体薄膜トランジスタとN型有機薄膜トランジスタからなるCMOSインバーター回路の上面の概観図、図2〜4は、断面図である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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