Co2Si型結晶構造をとる燐化合物及びその製造方法

開放特許情報番号
L2005006959
開放特許情報登録日
2005/7/1
最新更新日
2015/9/17

基本情報

出願番号 特願2005-045435
出願日 2005/2/22
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2006-232568
公開日 2006/9/7
登録番号 特許第5207332号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 Co2Si型結晶構造をとる燐化合物及びその製造方法
技術分野 無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 簡便な操作で得られ、電子材料、触媒材料、高硬度材料、耐摩耗性材料、耐熱材料等として広い分野で利用される。
目的 超伝導素子を作成に際して、例えば超伝導トランジスター等にみられる超伝導−非超伝導体の接合における非超伝導体部分に用いる場合に有用である燐化合物からなる材料の提供。
効果 室温で5〜10μΩ・cmの導電性を示し、5K未満で超伝導性を示し、2K以上で非磁性を示し、モース硬度計で8〜9の硬度を備えており、その産業的利用価値は極めて大きい。
技術概要
Co↓2Si型結晶構造をとり、化学組成が式MIrP(MはTi、Zr、NbまたはMoから選択した1以上の元素)で表される化合物であることを特徴とする燐化合物。(但し、各成分M:Ir:Pの比率は基本的には1:1:1であるが、格子欠陥等により組成変動がある場合に、その組成変動範囲を含む)。尚、燐化合物は、格子定数が、a=5.8〜6.6Å、b=3.5〜4.2Å、c=6.7〜7.6Åであり、室温で5〜10μΩ・cmの導電性を示し、室温以下5Kの低温まで金属的挙動を示し、5K未満で超伝導性を示し、2K以上で非磁性を示し、モース硬度計で8〜9の硬度を備えている。更に、M、Ir、P(MはTi、Zr、NbまたはMoから選択した1以上の元素)それぞれの材料を秤量した所定量をN↓2ガス等の不活性ガス雰囲気中で混合し、これを1500〜1700℃の高温及び1〜3Gpaの高圧下で合成することにより、燐化合物を製造する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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