半導体装置とその製造方法、及び製造装置

開放特許情報番号
L2005006916
開放特許情報登録日
2005/7/1
最新更新日
2015/9/17

基本情報

出願番号 特願2005-026400
出願日 2005/2/2
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2006-216673
公開日 2006/8/17
登録番号 特許第4621888号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 半導体装置の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体装置と、その製造装置
目的 最も問題の生じ易かったCu及びその合金はもとよりのこと、Al、Co、Ni、Ti、Ta等々、配線や機能領域として用いられる種々金属導電層材料の表面の酸化膜が、低誘電率薄膜等、周辺構造物の損傷なく除去されている半導体装置、及びその製造方法と製造装置を提供する。
効果 従前の手法では、還元対象の金属導電領域周辺の絶縁膜等に損傷を来たしたり、低誘電率薄膜を用いた筈なのに、損傷を受けてその比誘電率が上がったりしてしまう不具合があったが、この方法ではそのような問題を一切生じない。水素が残存することによる派生的な問題も原理上、発生し得ない。例えばCuの場合、せいぜい、400℃、高くても450℃にも加熱すれば、表面に形成されていた酸化膜は十分に還元除去されるため、周辺の絶縁膜等、周辺構造物に熱的損傷を与えることもない。
技術概要
金属導電領域を含む半導体装置であって、金属導電領域の表面の少なくとも一部が、酸素分圧を1×10↑−↑1↑3気圧以下に抑えた不活性ガス中での加熱による還元処理で酸化膜の除去された表面となっている半導体装置である。また、基板上に形成された金属導電領域を有する試料を収め、不活性ガスの充填された閉空間を形成する還元処理室と、還元処理室内の不活性ガスの酸素分圧を1×10↑−↑1↑3気圧以下にまで低減させ得る酸素ポンプと、還元処理室内において金属導電領域を加熱し、その表面に形成されている酸化膜を還元処理する加熱手段と、を有する半導体装置の製造装置である。さらに、半導体装置の製造装置であって、還元処理室は還元処理専用の部屋である半導体装置の製造装置である。図1は原理と基本的製造装置構成の概略的な説明図、図2〜図4は半導体装置の製造工程の説明図である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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