電界効果トランジスタの製造方法

開放特許情報番号
L2005006794
開放特許情報登録日
2005/6/24
最新更新日
2015/12/21

基本情報

出願番号 特願2000-378116
出願日 2000/12/12
出願人 独立行政法人情報通信研究機構
公開番号 特開2002-184786
公開日 2002/6/28
登録番号 特許第3486641号
特許権者 国立研究開発法人情報通信研究機構
発明の名称 電界効果トランジスタの製造方法
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 HEMT(高電子移動度電界効果トランジスタ)
目的 電界効果トランジスタの特性、具体的にはソース抵抗、ゲート抵抗、ゲート−ドレイン容量の低減、ソース−ドレイン耐圧の向上のために、T型のゲート電極をリセス内のソース側に近い所望の位置に高精度かつ均一に形成することができる電界効果トランジスタの製造方法の提供。
効果 ソース−ゲート間のリセス形状と、ゲート−ドレイン間のリセス形状とを独立して制御でき、しかも、高精度かつ均一に形成できるようになったため、ソース抵抗、ドレイン抵抗、ゲートとドレイン間容量、ソース−ドレイン間耐圧が精度良く制御可能となり、電界効果トランジスタの特性を最適化できる。
技術概要
化合物半導体基板上に、ソース領域とドレイン領域を形成した後に、ソース領域あるいはドレイン領域に直接あるいは間接に描画のための位置合わせを行い、ゲート電極を形成するトランジスタ製造プロセスにおいて、この技術では、ゲート電極と半導体との接触部分の形状を規定する層に、半導体基板に達するソース側に配置された直線上の溝と、半導体基板に達するドレイン側に配置された複数の点状の穴とを形成する。次に、等方性エッチングにより、ソース−ゲート間のリセス形状と、ゲート−ドレイン間のリセス形状とを形成する。そして、化合物半導体基板表面に垂直方向の運動量成分と、半導体表面に平行で直線上の溝に直交する運動量成分よりも大きな化合物半導体基板表面に平行で直線上の溝に平行な運動量成分とをもった金属原子あるいは粒子を溝に堆積する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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