透過率/反射率制御方法、変調装置

開放特許情報番号
L2005006734
開放特許情報登録日
2005/6/24
最新更新日
2015/12/21

基本情報

出願番号 特願2002-120476
出願日 2002/4/23
出願人 独立行政法人情報通信研究機構
公開番号 特開2003-315753
公開日 2003/11/6
登録番号 特許第3760230号
特許権者 国立研究開発法人情報通信研究機構
発明の名称 透過率/反射率制御方法、変調装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 超高速変調デバイス、半導体の透過率及び反射率のエネルギ制御
目的 フェムト秒光パルスを用いた超高速通信における変調デバイスの基盤となる半導体の透過率、反射率の変化を制御する技術の提供。
効果 半導体の透過率、反射率のエネルギ変化を制御することが可能となり、このことを利用して半導体に照射される光の変調を行うことができる。
技術概要
この技術では、半導体を電界中に置き、この半導体にコヒーレントなパルスであるポンプ光とプローブ光とを当てて、キャリア励起に伴う透過率、反射率の変化を惹起する。このとき、電界の強度及びポンプ光とプローブ光との時間差、または、電界の強度若しくはポンプ光とプローブ光との時間差を変化せしめることで、半導体の透過率、反射率の変化を制御する。そのため変調装置は、半導体に電界を印加する電界印加手段を備えると共に、半導体にポンプ光を照射するポンプ光照射手段を備え、また半導体にプローブ光を照射するプローブ光照射手段を具備する。ポンプ光照射手段、プローブ光照射手段は、それぞれコヒーレントな光パルスであるポンプ光、プローブ光を半導体に照射するものであり、ポンプ光の照射タイミングとプローブ光照射タイミングとの間の時間差を可変に制御し得る時間差制御手段により両者を関連づけるものとする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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