量子バリアバラクタ

開放特許情報番号
L2005006713
開放特許情報登録日
2005/6/24
最新更新日
2015/12/21

基本情報

出願番号 特願2002-064771
出願日 2002/3/11
出願人 独立行政法人情報通信研究機構
公開番号 特開2003-264297
公開日 2003/9/19
登録番号 特許第3811773号
特許権者 国立研究開発法人情報通信研究機構
発明の名称 量子バリアバラクタ
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 サブミリ波帯で高速に動作する量子バリアバラクタ、ミリ波、サブミリ波領域の高周波信号、低周波の信号を逓倍する、半導体デバイス、ヘテロ障壁バラクタ、バラクタダイオード
目的 サブミリ波領域の高い周波数でも安定して動作する量子バリアバラクタの提供。
効果 ひずみ空乏層領域は、空乏層領域との境界面に直交する方向のキャリア移動度が高くなるように、空乏層領域を構成する材料と格子定数を異ならしめたので、ミリ波・サブミリ波といった高い周波数の入力信号によって空乏層の厚さが減少することを効果的に抑制でき、ミリ波・サブミリ波帯に好適な量子バリアバラクタを提供できる。
技術概要
この技術は、バリア層を挟んで両側に、空乏層領域とコンタクト層を順に有し、バリア層は他の領域よりもエネルギーバンドギャップの高い材料で形成した量子バリアバラクタであって、バリア層と空乏層領域との間にはひずみ空乏層領域を設け、ひずみ空乏層領域は、空乏層領域との境界面に直交する方向のキャリア移動度が高くなるように、空乏層領域を構成する材料と格子定数を異ならしめる。空乏層領域の構成材料はInGaAsよりなるものとし、ひずみ空乏層領域の構成材料は空乏層領域を構成するInGaAsよりもGaの組成比を高くすることで、ひずみ空乏層領域の格子定数を空乏層領域の格子定数よりも小さくしてもよい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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