Si基板上への化合物半導体薄膜形成方法

開放特許情報番号
L2005006262
開放特許情報登録日
2005/6/11
最新更新日
2015/12/21

基本情報

出願番号 特願2003-314912
出願日 2003/9/8
出願人 独立行政法人情報通信研究機構
公開番号 特開2005-085916
公開日 2005/3/31
登録番号 特許第3855061号
特許権者 国立研究開発法人情報通信研究機構
発明の名称 Si基板上への化合物半導体薄膜形成方法
技術分野 電気・電子、機械・加工
機能 材料・素材の製造
適用製品 AlGaAsAb系材料
目的 複雑は薄膜形成工程を行うことなく、Si基板上に高品質な化合物半導体薄膜を簡便に形成できる方法の提供。
効果 バッファ層上へ形成する化合物半導体とSi基板との格子定数差を緩衝できる。超格子の形成など複雑なプロセスを必要とせずに、Si基板上へ高品質の化合物半導体薄膜(特に、GaSbやAlGaSb)を簡便に形成できる。
技術概要
この技術では、Si基板1として、Sijust基板を用い、その表面をフッ化水素酸数%水溶液(超純水)によってクリーニングし、Si基板表面の酸化膜を除去した後、MBEチャンバー内に導入した。Si基板1の基板温度を760℃まで昇温することにより、Hの脱離を行い、高速電子線回折による基板表面の清浄化を確認した。清浄表面を得たSi基板1の基板温度を500℃まで降温し、Sb分子線(強度は2×10↑(−6)Torr)を5分間照射する。次いで、分子線エピタキシー法(MBE)によりAlSbを5nm結晶成長させ、バッファ層を形成する。AlSb膜を形成した後、Sb分子線照射下における成長中断を5分行ない、その後、MBE法によりGaSbを500nm結晶成長させ、化合物半導体の薄膜3を形成する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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