紫外線透過基板を用いた微弱光検出器

開放特許情報番号
L2005006235
開放特許情報登録日
2005/6/11
最新更新日
2015/12/21

基本情報

出願番号 特願2003-272480
出願日 2003/7/9
出願人 独立行政法人情報通信研究機構
公開番号 特開2005-030998
公開日 2005/2/3
登録番号 特許第3760241号
特許権者 国立研究開発法人情報通信研究機構
発明の名称 紫外線透過基板を用いた微弱光検出器
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 光パルス、光子数
目的 不純物に由来するノイズや、基板上の電極がはがれる事態を防止し、また回路を適切に冷却でき、また、光子数を計測できる微弱光検出器の提供。
効果 基板の不純物に由来するノイズを防止し、かつ極低温に冷却しても基板上の回路が断線する事態を防止できる。従来の回路における基板から電極が剥がれるという事態を防止できる。また、サーモスタットなどの冷却効果を基板上の回路に適切に伝えることができる。4.2K程度の低温で十分動作する微弱光検出器等を提供できる。液体ヘリウムを用いて冷却すれば達成できる温度環境で光子数を測定できる。したがって、様々なデバイスに応用しやすく、普及しやすい。光子数に関する情報を失わずに、光子数を計測することができる。
技術概要
この技術では、光検出手段を含む積分型読み出し回路を具備する紫外線透過基板を含み、基板が、扁平な四角形であり、その面積が25mm↑2〜900mm↑2である。基板の材質が、フッ化カルシウム、二酸化珪素、石英ガラス、結晶石英、サファイヤ、フッ素樹脂のいずれかで、基板の主成分のモル濃度が、99.99%以上である。光検出手段が、PINフォトダイオード、又はアバランシェフォトダイオード(APD)のいずれかで、基板が扁平四角形状であり、光検出手段が、基板の対角線が交差する位置に設けられ、積分型読み出し回路は、GaAsJFETを含む。積分型読み出し回路は、バイアス電圧補償型電荷積分(CTIA)回路か、電荷積分増幅(CIA)回路である(1)に記載の微弱光検出器である。(9)第1の発明の好ましい別の態様は、前記積分型読み出し回路は、FETと、FETのゲート電極と連結された光検出手段と、FETのゲート電極と連結されたコンデンサと、FETのソース電極と連結された抵抗と、FETのソース電極と連結されたオペアンプとを含む回路である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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