中空実装型微弱光検出器

開放特許情報番号
L2005006233
開放特許情報登録日
2005/6/11
最新更新日
2015/12/21

基本情報

出願番号 特願2003-272451
出願日 2003/7/9
出願人 独立行政法人情報通信研究機構
公開番号 特開2005-030993
公開日 2005/2/3
登録番号 特許第3752547号
特許権者 国立研究開発法人情報通信研究機構
発明の名称 中空実装型微弱光検出器
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 1.5μm帯光、光パルス、光子数
目的 光子数を計測できる微弱光検出器、及びそのような微弱光検出器を含む微弱光検出システムなどの提供。
効果 基板とワークサーフェスからなる電極パッド部分の浮遊容量を低減させることができる。その結果、この技術ではFETのゲート容量が低減し、微弱光検出器のS/N比を向上できる。光子数を計測できるほど高感度な微弱光検出器、及び検出システムを提供できる。特に、ノイズが軽減され、4.2K程度の低温で十分動作する微弱光検出器等を提供できる。液体ヘリウムを用いて冷却すれば達成できる温度環境で光子数を測定できる。光子数に関する情報を失わずに、光子数を計測することができる。
技術概要
この技術では、光検出手段を含む積分型読み出し回路、及び積分型読み出し回路を搭載した基板を含み、光検出手段が、PINフォトダイオード、又はアバランシェフォトダイオード(APD)のいずれかであり、積分型読み出し回路は、電界効果トランジスタ(FET)を含む回路であり、基板が接地されていない。基板を下方から支える基板支持部と、基板支持部材を支える鉛直方向に伸びる支持柱とを含む。基板支持部材が、水平方向に移動可能である。水平方向に延在し支持柱が埋設されるワークサーフェスから基板までの高さが、1mm以上10cm以下である。FETは、GaAsJFETである。積分型読み出し回路は、バイアス電圧補償型電荷積分(CTIA)回路か、電荷積分増幅(CIA)回路である。基板をその内部に有し、光検出手段と同心円状に設けられた円筒状のジャケットを有する。ジャケットの材質が、アルミニウム、真ちゅう、銅、金、銀、鉄、又はこれらの合金のいずれかである。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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