基板上のポテンシャル特異点を用いたナノデバイスの製造方法

開放特許情報番号
L2005006232
開放特許情報登録日
2005/6/11
最新更新日
2015/12/21

基本情報

出願番号 特願2003-272567
出願日 2003/7/9
出願人 独立行政法人情報通信研究機構
公開番号 特開2005-028540
公開日 2005/2/3
登録番号 特許第3931236号
特許権者 国立研究開発法人情報通信研究機構
発明の名称 基板上のポテンシャル特異点を用いたナノデバイスの製造方法
技術分野 電気・電子、化学・薬品、有機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 分子、空間配置、配列方法、化学反応
目的 基板上のポテンシャル特異点から反応を開始させた、ボトムアップ式のナノデバイスの製造方法、及び、規則性をもって化合物分子を配列させ、この配列パターンを利用して連鎖反応を促進するナノデバイスの製造方法、及び、規則性をもって複数の化合物分子を配列させ、化合物間の距離を制御し、化合物分子間の化学反応を制御するナノデバイスの製造方法、及び、分子デバイスの空間的な配置を容易に制御できるナノデバイスの製造方法の提供。
効果 ボトムアップ式のナノデバイスの製造方法、連鎖反応を促進するナノデバイスの製造方法、化合物分子間の化学反応を制御するナノデバイスの製造方法、分子デバイスの空間的な配置を容易に制御できるナノデバイスの製造方法を提供することができる。
技術概要
 
この技術では、基板にポテンシャル特異点を設けるポテンシャル特異点製造工程と、ポテンシャル特異点と相互作用する官能基を有する化合物と、ポテンシャル特異点を有する基板とを接触させる接触工程を含む。基板上にポテンシャル特異点を設けることで、分子が成長する部位や、位置関係等を制御したボトムアップ式の分子デバイス製造方法を提供できる。ポテンシャル特異点製造工程において、基板上のポテンシャル特異点の位置を制御することにより、ナノデバイスを構成する分子の空間位置を制御する。また、基板上のポテンシャル特異点の位置を制御することにより、ナノデバイスを構成する分子の空間位置を制御し、さらにナノデバイスを構成する化合物間の反応を制御する。接触工程の後に、ポテンシャル特異点を介して基板に結合した化合物同士を結合させる化合物結合工程を含む。接触工程の後に、ポテンシャル特異点を介して基板に結合した化合物と、化合物と結合し得る他の化合物とを結合させる工程を含む。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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