遠赤外発光素子及び遠赤外レ−ザ−

開放特許情報番号
L2005006018
開放特許情報登録日
2005/6/3
最新更新日
2015/11/3

基本情報

出願番号 特願2003-298003
出願日 2003/8/21
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2005-072153
公開日 2005/3/17
登録番号 特許第4341013号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 遠赤外発光素子
技術分野 電気・電子、その他
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 遠赤外発光可能な発光素子、遠赤外レ−ザ−
目的 遠赤外発光が可能で、且つ波長可変機能を有した、小型、低消費電力の遠赤外発光素子を提供する。
効果 これまで低コスト、利便性に優れた良い光源が無かった遠赤外領域において、波長可変で小型、すなわち、低コスト、利便性に優れた遠赤外発光素子が可能になる。
技術概要
本発明の遠赤外発光素子は、GaAs2とGaAlAs3の界面に形成した2次元電子系4上に、円盤形状のソ−ス電極5、ソ−ス電極5の外側に円環状を成し且つ円環の一部に切欠部分6aを有するゲ−ト電極6、切欠部分6aからゲ−ト電極6の外側に一定距離離れた位置に第1のゲ−ト電極7、第1のゲ−ト電極7のさらに外側にドレイン電極8を有する。遠赤外発光素子1に静磁場を印加し、二次元電子系ををランダウ準位充填率4の量子ホ−ル状態にする。第1のゲ−ト電極7に負電圧を印加して第1のゲ−ト電極7の下のランダウ準位充填率を2に設定し、ソ−ス電極5とドレイン電極8との間の電位差を調整して、上位エッジチャネル10aと下位エッジチャネル10bの化学ポテンシャル差が、ランダウ準位エネルギ−差(サイクロトロンエネルギ−)以上の化学ポテンシャル差になるようにすると、反転分布により遠赤外発光が可能になる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 これまで低コスト、利便性に優れた良い光源が無かった遠赤外領域において、波長可変で小型、すなわち、低コスト、利便性に優れた遠赤外発光素子が可能になる。
改善効果2 コルビノ型に構成し、チャネル端近傍にゲ−ト電極を付加することにより、効率のよい遠赤外発光素子が可能になる。
改善効果3 光フィ−ドバック機構を付加することにより、レ−ザ−発振も可能になる。
アピール内容 当ライセンス情報は、独立行政法人科学技術振興機構の『研究成果展開総合デ−タベ−ス(J−STORE)』に掲載中の情報をもとに作成したものです。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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