冷却式読み出し回路の低周波ノイズ削減方法
- 開放特許情報番号
- L2005005692
- 開放特許情報登録日
- 2005/5/27
- 最新更新日
- 2015/12/21
基本情報
| 出願番号 | 特願2001-342633 |
|---|---|
| 出願日 | 2001/11/8 |
| 出願人 | 独立行政法人情報通信研究機構 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2003/5/21 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 |
| 発明の名称 | 冷却式読み出し回路の低周波ノイズ削減方法 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 制御・ソフトウェア、機械・部品の製造 |
| 適用製品 | 冷却式読み出し回路の低周波ノイズ削減方法 |
| 目的 | 極低温動作トランジスタの低周波ノイズを低減できるようにすることを目的とする。 |
| 効果 | トランジスタ（サーマルキュアを行ったトランジスタ）を通常の極低温動作温度である第１の温度で動作させることにより、前記トランジスタの低周波ノイズを低減することができる。 |
技術概要) |
極低温動作可能なトランジスタを冷却温度の調節可能な冷却器内に収納した冷却式読み出し回路の低周波ノイズ削減方法において、前記トランジスタが極低温動作可能な温度を第１の温度とし、前記第１温度より高くノイズスペクトラムが動作温度依存性を持つ温度を第２の温度として、前記第１の温度で前記トランジスタに電源を投入して動作状態にし、電流を流したまま、該トランジスタの素子温度を一旦、前記第１の温度より高い第２の温度まで上昇させる第１のステップと、その後、前記トランジスタの素子温度を、前記第２の温度から第１の温度まで冷却する第２のステップとを有し、前記第２のステップ終了後、前記トランジスタを第１の温度で動作させることにより、低周波ノイズを低減する。ＧａＡｓＪ−ＦＥＴは、４．２Ｋ以下でトランジスタ動作させることが可能である。低周波数領域で支配的なノイズは、１／ｆノイズ、Ｇ−Ｒノイズ及びＲＴＳなどのフリッカーノイズである。一旦動作温度を上昇させて用いることで、低周波ノイズの削減ができることを実験で見出した。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
アピール情報
| 導入メリット | 【 】
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登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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