バラクタ

開放特許情報番号
L2005005681
開放特許情報登録日
2005/5/27
最新更新日
2015/12/21

基本情報

出願番号 特願2001-078690
出願日 2001/3/19
出願人 独立行政法人情報通信研究機構
公開番号 特開2002-280575
公開日 2002/9/27
登録番号 特許第3593556号
特許権者 国立研究開発法人情報通信研究機構
発明の名称 バラクタ
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 バラクタ
目的 コンタクト抵抗を下げ、空乏層領域の不純物分布を精度よく制御できる構造を持ち、しかも容易にリーク電流を削減できる構造を持ったバラクタを提供する。
効果 バリア層が空気あるいは空気と熱酸化膜、あるいは層間絶縁膜としたので、リーク電流を減らすことができるので、逓倍波発生効率を改善することができた。
技術概要
絶縁体上に設けられた第1の半導体領域と、第1の半導体領域に離間して設けられた第2の半導体領域と、第1の半導体領域と第2の半導体領域とを離間する間隙と、第1の半導体領域に接続された第1の配線と、前記第2の半導体領域に接続された第2の配線と、第1の半導体領域に形成された第1の接続部と、第2の半導体領域に形成された第2の接続部と、第1(2)の半導体領域と第1(2)の配線とが第1(2)の接続部で接続される構成と、第1の接続部以外の第1の半導体領域の不純物密度は、第1の接続部の不純物密度よりも低い構成と、第1の接続部と第2の接続部とが、第1の接続部以外の第1の半導体領域の一部と第2の接続部以外の第2の半導体領域の一部とを挟む構成と、を備え、第1の接続部と、前記第2の接続部と間の電位差−容量プロットについては、使用する領域にある電位差の範囲において、容量の極大値を示す特性を持つたバラクタである。、図(a)に示すような、シリコン酸化膜2の上にシリコン層1がある構造を用意する。図(b)及び図(c)は、この段階におけるバラクタの断面図及び平面図をそれぞれ示す。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 バリア層が空気あるいは空気と熱酸化膜、あるいは層間絶縁膜としたので、リーク電流を減らすことができるので、逓倍波発生効率を改善することができた。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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