集積型光逓倍変調装置

開放特許情報番号
L2005005674
開放特許情報登録日
2005/5/27
最新更新日
2015/12/21

基本情報

出願番号 特願2000-342917
出願日 2000/11/10
出願人 独立行政法人情報通信研究機構
公開番号 特開2002-148572
公開日 2002/5/22
登録番号 特許第3577508号
特許権者 国立研究開発法人情報通信研究機構
発明の名称 集積型光逓倍変調装置
技術分野 情報・通信
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 集積型光逓倍変調装置
目的 小型化することによりフィルタと変調器間の距離が小さくできるため高周波信号のオン・オフ時や変調時に応答速度を向上させることのできる集積型光逓倍変調装置を提供する。
効果 短い光路の集積型光逓倍変調装置となったため、従来の物に比べて、その応答速度を250倍以上に改善することができた。又簡単な構成で集積型光逓倍変調装置を構成できるようになった。
技術概要
 
予め決められた周波数の光を変調して、その第n次側帯波群を得る構成と、第n次側帯波群を変調して第n+1次側帯波群を得る構成と、第n+1次側帯波群の少なくとも一部の側帯波を選択する構成と、その光路は、反射手段で折り返している構成と、変調手段は、次数の異なる側帯波群が入力される構成と、を、備え、狭帯域フィルタ は、変調を受ける前の予め決められた周波数の光を通過させ、その他の周波数の光については反射する特性を持ち、帯域制限フィルタは、変調を受ける前の予め決められた周波数の光を反射する特性を持ち、狭帯域フィルタと帯域制限フィルタの裏面には、それぞれの温度調整装置が設けられている集積型光逓倍変調装置である。ひとつのInP半導体基板上に形成された、InGaAsの吸収層と該吸収層を挟むN型InGaAs半導体層とP型InP半導体とを備える光変調器と、(2)N型InGaAs半導体層とP 型InGaAs半導体層とをもった光増幅器と、どちらも同じ感光性ガラスあるいは低融点ガラス層に形成された(3)狭帯域フィルタと(4)帯域制限フィルタとを備えている。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 簡単な製造プロセスで光変調器と光増幅器とを作り込むことができるようになり、製造コストを低減できるようになった。
改善効果2 高速動作特性が良好な電界吸収光変調器を用いたので、より高い周波数の信号で変調できるようになった。
改善効果3 集積型光逓倍変調装置に用いられる濾波器の周波数特性のドリフトが無くなり、安定に動作するようになった。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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