| 出願番号 |
特願2001-187942 |
| 出願日 |
2001/6/21 |
| 出願人 |
独立行政法人情報通信研究機構 |
| 公開番号 |
特開2003-007639 |
| 公開日 |
2003/1/10 |
| 登録番号 |
特許第3521229号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人情報通信研究機構 |
| 発明の名称 |
低抵抗コンタクト接合の形成方法 |
| 技術分野 |
電気・電子、情報・通信 |
| 機能 |
機械・部品の製造、材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
低抵抗コンタクト接合 |
| 目的 |
低抵抗コンタクト接合を形成するに際し、コンタクト接合部となる導電性領域の微小化に無理なく追随できると共に、経済効率も良好な低抵抗コンタクト接合の形成方法を提供する。 |
| 効果 |
コンタクト接合部となる導電性領域の微小化に無理なく追随できると共に、経済効率も良好な低抵抗コンタクト接合を形成できる。 |
技術概要
 |
本発明の低抵抗コンタクトの形成方法を以下に記す。低抵抗コンタクトを形成する導電性領域上に微粒状遮蔽体を含む溶液を滴下し、溶液を蒸発させることで、微粒状遮蔽体を導電性領域上へ拡散させておき、図１に示すように、導電性領域の形成素材と反応するが微粒状遮蔽体とは反応しない手法により導電性領域表面をエッチングすることで、導電性領域表面に凹凸を生ぜしめる。エッチング終了後に微粒状遮蔽体を除去し、図２に示すように、凹凸の生じた導電性領域上に導電性物質を堆積させる。これにより、導電性物質が堆積した部分の界面の面積が大きくなり、抵抗を低くすることができる。 |
| イメージ図 |
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| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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