低抵抗コンタクト接合の形成方法

開放特許情報番号
L2005005648
開放特許情報登録日
2005/5/27
最新更新日
2015/12/21

基本情報

出願番号 特願2001-187942
出願日 2001/6/21
出願人 独立行政法人情報通信研究機構
公開番号 特開2003-007639
公開日 2003/1/10
登録番号 特許第3521229号
特許権者 国立研究開発法人情報通信研究機構
発明の名称 低抵抗コンタクト接合の形成方法
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 低抵抗コンタクト接合
目的 低抵抗コンタクト接合を形成するに際し、コンタクト接合部となる導電性領域の微小化に無理なく追随できると共に、経済効率も良好な低抵抗コンタクト接合の形成方法を提供する。
効果 コンタクト接合部となる導電性領域の微小化に無理なく追随できると共に、経済効率も良好な低抵抗コンタクト接合を形成できる。
技術概要
本発明の低抵抗コンタクトの形成方法を以下に記す。低抵抗コンタクトを形成する導電性領域上に微粒状遮蔽体を含む溶液を滴下し、溶液を蒸発させることで、微粒状遮蔽体を導電性領域上へ拡散させておき、図1に示すように、導電性領域の形成素材と反応するが微粒状遮蔽体とは反応しない手法により導電性領域表面をエッチングすることで、導電性領域表面に凹凸を生ぜしめる。エッチング終了後に微粒状遮蔽体を除去し、図2に示すように、凹凸の生じた導電性領域上に導電性物質を堆積させる。これにより、導電性物質が堆積した部分の界面の面積が大きくなり、抵抗を低くすることができる。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 微粒状遮蔽体の粒径や粒形状、導電性領域への散布量などに導電性領域の表面積の増加に大きく寄与できる。
改善効果2 接触面積の増加に伴って導電性領域と配線金属間のコンタクト抵抗が低減され、コンタクト抵抗による消費電力が減り、トランジスタやバラクタ等の半導体素子の動作の向上が可能になる。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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