ナノギャップ電極の形成方法及びこれによって得られたナノギャップ電極並びに電極を備えた素子

開放特許情報番号
L2005004572
開放特許情報登録日
2005/4/8
最新更新日
2008/11/21

基本情報

出願番号 特願2004-315502
出願日 2004/10/29
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2006-128438
公開日 2006/5/18
発明の名称 ナノギャップ電極の形成方法及びこれによって得られたナノギャップ電極並びに該電極を備えた素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 ナノギャップ電極並びに電極を備えた素子
目的 ランニングコストの高い電子ビーム露光を用いることなく、μm程度のパターニング精度の技術をもちいて、1〜20nmのギャップ長さを持ち、かつ電極幅も100nm以下の、規定されたナノギャップ電極を作製する。
効果 例えばギャップは5nm以下でありながら電極幅が50nm程度と非常に細い電極を形成することが可能である。また、この手法を利用して作製したナノギャップ電極を用い、ナノスケール領域の電気特性を測定が可能である。
技術概要
図1に、ナノギャップ電極の概略図を示す。Gはナノギャップのサイズ(ギャップ長)であり、Wはナノギャップ電極部分の電極幅を示す。ナノギャップ電極は、基本的には、図2に示すような工程により形成する。まず、光露光によりフォトマスクのパターンを作製し、矢印の方向に電極材(主として金属)を蒸着する。この後、リフトオフを行う。次いで、2回目の光露光を行い、一回目の蒸着金属膜上を跨った(またがった)スリットパターンを作製する。そして矢印の方向に2回目の金属蒸着をし、再び、リフトオフを行う。図3の左図のように、従来技術では一番目の金属電極に対して90°の角度にスリットパターンを作製していたが、ここでは、図3の右図に示すように、角度α(α<90°)でスリットパターンを作製する。すなわち、一番目の電極に対して、2番目の電極が斜めに形成された構造を備えている。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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