ビーム入射を伴う分析方法

開放特許情報番号
L2005004529
開放特許情報登録日
2005/4/8
最新更新日
2006/5/26

基本情報

出願番号 特願2004-292043
出願日 2004/10/5
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2006-105748
公開日 2006/4/20
発明の名称 ビーム入射を伴う分析方法
技術分野 電気・電子
機能 検査・検出
適用製品 ビーム入射を伴う分析システム
目的 X線反射率法等のビーム入射を伴う分析方法において、分析面に平坦度の低い領域を有する試料の場合でも、高精度で分析ができるようにする。
効果 試料の分析面に電磁波のビームを所定角度で入射して、分析面から反射あるいは発生した電磁波を検出し、この検出値に基づいて前記試料を分析する方法において、分析面の最も平坦な領域にビームが所定角度で入射されるように試料の位置を調整することにより、分析面に平坦度の低い領域を有する試料の場合であっても高精度で分析を行うことができる。
技術概要
この方法は、X線回折装置1とレーザー干渉計2を用いて実施することができる。図1に示すように、X線回折装置1は、X線源11と、放物ミラー12と、第1のスリット13と、分光器14と、第2のスリット15と、第3のスリット16と、X線検出器17を備えている。試料3は、第2のスリット15と第3のスリット16との間の所定位置に設置される。レーザー干渉計2は、レーザー21と、ビームスプリッター22と、光学部品23と、CCDカメラ24と、干渉縞解析装置25とを備えている。光学部品23は試料3にレーザーを照射して干渉縞を形成するための光学系であり、リファレンス23aとピエゾ素子23bとレンズ群を備えている。試料3とレーザー干渉計2は図2に示すように配置されている。図2では、レーザー干渉計2の光学部品23以外の構成をまとめて面形状測定装置20として表示している。試料3の位置調整機構と面形状測定装置20は独立にテーブル4上に設置されている。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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