リグニン誘導体を用いた光電変換素子及び光電気化学電池

開放特許情報番号
L2005004404
開放特許情報登録日
2005/3/25
最新更新日
2015/11/3

基本情報

出願番号 特願2003-032891
出願日 2003/2/10
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2004-265622
公開日 2004/9/24
登録番号 特許第3934068号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 リグニン誘導体を用いた光電変換素子及び光電気化学電池
技術分野 情報・通信、電気・電子、有機材料
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造
適用製品 太陽電池、半導体薄膜電極、光電変換素子
目的 炭素資源的制約を伴わない光電変換素子半導体薄膜電極、光電変換素子及びこれを用いた太陽電池を提供する。
効果 炭素資源的制約を伴わない光電変換素子半導体薄膜電極、光電変換素子及びこれを用いた太陽電池を提供できる。
技術概要
本発明の光電変換素子20及び光電気化学電池40の構造を図示する。森林資源由来のリグニン含有材料を原料とするリグニン誘導体により増感された半導体薄膜電極を備える。リグニン誘導体とは、(a)リグニン含有材料をフェノール化合物で溶媒和後、酸を添加し混合して得られるリグニンのフェノール化合物の誘導体、(b)リグノフェノール誘導体に対して、アシル基導入反応、カルボキシル基導入反応、アミド基導入反応、架橋性基導入反応及びアルカリ処理反応から選択される1種の反応を行って得られる二次誘導体、(c)リグノフェノール誘導体に対して、アシル基導入反応、カルボキシル基導入反応、アミド基導入反応、架橋性基導入反応及びアルカリ処理反応から選択される2種以上の反応を行って得られる高次誘導体、(d)二次誘導体のうち架橋性基導入反応により得られる二次誘導体が架橋されている二次誘導体の架橋体、(e)高次誘導体のうち、架橋性基導入反応を経て得られる高次誘導体が架橋されている高次誘導体の架橋体からなる群をいう。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 持続的に再生産可能な森林資源であるリグニン含有材料由来のリグニン誘導体で増感された半導体を備えるため、石油などの化石系炭素資源の枯渇の危険性を回避することができる。
改善効果2 森林資源の新たな用途を提供することにより、森林資源の循環利用を促進することができる。
アピール内容 当ライセンス情報は、独立行政法人科学技術振興機構の『研究成果展開総合データベース(J−STORE)』に掲載中の情報をもとに作成したものです。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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