無転位シリコン単結晶の製造方法

開放特許情報番号
L2005003440 この特許が掲載されている活用例集をご覧頂けます
開放特許情報登録日
2005/3/11
最新更新日
2008/6/13

基本情報

出願番号 特願2000-339280
出願日 2000/11/7
出願人 信州大学長
公開番号 特開2002-145694
公開日 2002/5/22
登録番号 特許第3536087号
特許権者 国立大学法人信州大学
発明の名称 無転位シリコン単結晶の製造方法
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 シリコン単結晶
目的 広い不純物濃度範囲の無転位シリコン単結晶をネッキング工程を用いずに製造することを可能にするシリコン種子結晶および無転位シリコン単結晶の製造方法を提供する。
効果 広い不純物濃度範囲の無転位Si単結晶をネッキング工程を用いずに製造することが可能になる。
技術概要
 
本発明は、少なくとも1種の、シリコンよりも結合半径が小さい不純物元素と、少なくとも1種の、シリコンよりも結合半径が大きい不純物元素とを含む無転位シリコン単結晶の成長に用いるシリコン種子結晶を提供し、これにより無転移シリコン単結晶の製造を可能にするものである。Siよりも結合半径が小さい不純物元素は、Si種子結晶の平均の格子定数を減少させる不純物として働き、結晶硬化効果を示す。この結晶硬化効果によって、種子付け時に種子結晶中に熱ショック転位が発生することが抑えられる。一方、Siよりも結合半径が大きい不純物元素は、Si種子結晶の平均の格子定数を増大させる不純物として働くため、やはり結晶硬化効果を示す。また、結合半径が小さい不純物元素と大きい不純物元素とを同時に添加することによって、これらの元素による種子結晶の格子定数の減少と増大とが相殺される。従って、添加する両元素の濃度を調整することで、種子結晶の格子定数を成長結晶の格子定数に合わせて、両結晶間のミスフィット転位の発生を抑えることができる。
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 種子付け後の細くて長いネック部形成(ネッキング)工程が不必要になることで、ネック部の機械的強度が増大し、大直径、大重量の結晶製造が可能になる。
改善効果2 細くて長いネック部を成長させる時間が不必要になるため結晶製造の効率が上がり、またネック部が無くなった分を有効利用できるため、結晶部分の長い結晶製造が可能になる。
改善効果3 ネッキング操作において、無転位化が達成されたか否かの判定を必要としないため、無転位結晶製造を専門家でなくても簡単に行えるようになる。

登録者情報

登録者名称 株式会社信州TLO

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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