半導体装置の製造方法

開放特許情報番号
L2005000877 この特許の事業構築のヒントや可能性をご覧頂けます
開放特許情報登録日
2005/2/4
最新更新日
2005/2/11

基本情報

出願番号 特願平10-061043
出願日 1998/3/12
出願人 株式会社東芝
公開番号 特開平11-260760
公開日 1999/9/24
登録番号 特許第3417829号
特許権者 株式会社東芝
発明の名称 半導体装置の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 高周波用電力シリコンバイポーラトランジスタの製造方法。
目的 従来の半導体装置の製造方法の場合、LOCOS領域の端部におけるAuめっき電極用Au層の段切れによって、Auめっき層の形成不良が発生するという問題点があった。本発明は上記の欠点を排除するもので、LOCOS領域の端部に新たにAuめっき形成領域を設けることにより、段切れしているAuめっき電極用Au層を接触させ、Auめっき層の形成不良を防止する半導体装置の製造方法を提供する。
効果 高性能のシリコントランジスタを歩留まりよく製造する半導体装置の製造方法を提供することができる。
技術概要
本発明は、半導体基板上に所定のパターンを有する厚膜の第一の絶縁膜を形成する第1工程と、前記第一の絶縁膜上に電極と接続した第一の金属層を形成する第2工程と、前記第一の絶縁膜上の第一の金属層と接続するための開口を設けた第一の保護膜を、前記第一の絶縁膜上の端部に形成する第3工程と、開口を設けた前記第一の保護膜上面に下地の第二の金属層を形成する第4工程と、前記第二の金属層上に選択的に厚めっきの第三の金属層を形成する第5工程とからなる半導体装置の製造方法において、前記第一の絶縁膜の前記端部に対応したフォトレジスト開口を形成する工程と、電気めっき法を用いて前記フォトレジスト開口に厚めっき層を形成する工程とを含むことを特徴とする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 株式会社東芝

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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