pチャンネル電界効果トランジスタ及びそれを用いたセンサ

開放特許情報番号
L2005000593
開放特許情報登録日
2005/1/28
最新更新日
2015/11/3

基本情報

出願番号 特願2003-082986
出願日 2003/3/25
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2004-294087
公開日 2004/10/21
登録番号 特許第3657591号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 pチャンネル電界効果トランジスタ及びそれを用いたセンサ
技術分野 食品・バイオ、電気・電子
機能 検査・検出、表面処理
適用製品 pチャンネル電界効果トランジスタ、化学センサ、バイオセンサ
目的 酵素をFETチャンネル表面(ダイヤモンド表面)に直接固定して、酵素の感応性を向上させたpチャンネル電界効果トランジスタ及びそれを用いたセンサを提供する。
効果 酵素をFETチャンネル表面(ダイヤモンド表面)に直接固定することにより、酵素濃度の感応性を向上できる。
技術概要
本発明のセンサは、図1に示すように、水素終端、酸素終端、アミノ終端が混在したダイヤモンド表面22上にグルタルアルデヒドOHC(CH2 )3 CHO30を作用させて処理して、水素終端、酸素終端、アミノ終端が混在したダイヤモンド表面22上にグルタルアルデヒド30が固定し、ここへ、ウレアーゼ29を作用させると、グルタルアルデヒド30にウレアーゼ29のアミノ基31が結合するものである。即ち、水素終端、酸素終端、アミノ終端が混在したダイヤモンド表面22にウレアーゼ29を固定する。10↑−↑6Mから10↑−↑2Mまで尿素濃度を増加すると、閾値電圧は正方向に約0.1Vシフトし、30mV/decadeの尿素濃度感応性を示す。図2は本発明の電解質溶液ゲートダイヤモンドFETの断面図である。1は多結晶CVDダイヤモンド基板、2はP型表面伝導層、3はソース電極(Au)、4はドレイン電極(Au)、5はソース電極(Au)3を覆うエポキシ樹脂、6はドレイン電極(Au)4を覆うエポキシ樹脂、7は電解質溶液、8はゲート電極(Ag/AgCl参照電極)である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 酵素をFETチャンネル表面(ダイヤモンド表面)に直接固定することにより、酵素濃度の感応性を向上させることができる。
改善効果2 食品検査、特に牛乳中の尿素検査の簡便化を図ることできる。
改善効果3 生化学分析における微量尿素(μM)の測定が可能である。
アピール内容 当ライセンス情報は、独立行政法人科学技術振興機構の『研究成果展開総合データベース(J−STORE)』に掲載中の情報をもとに作成したものです。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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