プラズマCVD装置

開放特許情報番号
L2004009035
開放特許情報登録日
2004/12/24
最新更新日
2015/9/15

基本情報

出願番号 特願2003-083531
出願日 2003/3/25
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2004-296526
公開日 2004/10/21
登録番号 特許第3837539号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 プラズマCVD装置
技術分野 無機材料、機械・加工、電気・電子
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造
適用製品 プラズマCVD装置、薄膜半導体、微結晶シリコン、非晶質シリコン薄膜太陽電池
目的 高密度のプラズマがカソード板表面の長円筒状の凹部から噴き出す形でカソード面内均一に安定に生成され、ガスを効率よく分解し、高速製膜が可能となるプラズマCVD装置を提供する。
効果 高密度のプラズマがカソード板表面の長円筒状の凹部から噴き出す形で安定に生成され、ガスを効率よく分解し、高速で大面積に均一に薄膜を製造することが可能となる。
技術概要
本発明のプラズマCVD装置は、反応容器と、この反応容器内に反応ガスを導入し排出する手段と、反応器内に収容された放電用平行平板電極(カソード、アノード)と、放電用電極に電力を供給する電源とを有し、反応容器内に設置された基板表面に薄膜を形成するプラズマCVD装置において、アノード表面に基板を設置し、カソード板を反応容器内に反応ガスを基板面内に均一に導入するシャワーヘッド型導入口と一体型とし、カソード板表面形状を、長円筒状の凹部を格子状に並べたものを溝で連結させた凹凸のあるものとし、長円筒状の凹部にその径より小さな径の穴を作製し反応ガス導入口とするものである。これより、高密度のプラズマがカソード板表面の長円筒状の凹部から噴き出す形でカソード面内均一に安定に生成され、ガスを効率よく分解し、10 nm/s程度の高速製膜が可能となる。図1にガスシャワーヘッド一体型カソード板の外観図、図2に断面図を示す。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 ガスシャワーヘッド一体型カソード板を導入したことにより、高密度のプラズマがカソード板表面で安定に生成され、ガスを効率よく分解する。
改善効果2 高速で大面積に均一に薄膜を製造することができる。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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