電界効果型トランジスタ及びその製造方法

開放特許情報番号
L2004008827
開放特許情報登録日
2004/12/3
最新更新日
2006/5/19

基本情報

出願番号 特願2004-243281
出願日 2004/8/24
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2006-060169
公開日 2006/3/2
発明の名称 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 溶液プロセス、結晶性、フラーレン、電子移動度
目的 溶液プロセスを用いても高い電子移動度を示す有機FETを提供することの実現。
効果 溶液プロセスを用いても結晶性の高い薄膜が形成可能であり、高電子移動度を示す有機FETが提供できる。したがって、n型有機FETの低コスト化および大面積化が可能である。
技術概要
この技術は、特に長鎖アルキル基を有するC60誘導体をn型有機半導体として用いることにより、溶液プロセスを用いても結晶性の高い薄膜が形成可能であり、高電子移動度を示す有機FETを提供することができることに基づく。すなわち、溶液プロセスにより形成された結晶性の高い有機半導体層を備えている電界効果型トランジスタとする。さらに、長鎖アルキル基を有するC60誘導体からなる結晶性の高いn型有機半導体を備えている電界効果型トランジスタとする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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