窒化物半導体デバイスおよび窒化物半導体結晶成長方法

開放特許情報番号
L2004008826
開放特許情報登録日
2004/12/3
最新更新日
2011/1/28

基本情報

出願番号 特願2004-243242
出願日 2004/8/24
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2006-060164
公開日 2006/3/2
発明の名称 窒化物半導体結晶成長方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 微傾斜面、結晶成長、転位、横方向エピタキシャル成長法
目的 十分に転位の低減された窒化物半導体膜とその半導体膜を利用した窒化物半導体デバイスを、簡単な方法でしかも厚い膜を形成することなく実現できるようにする技術の提供。
効果 単に微傾斜のオフ基板を用いるだけの方法であり、複雑なプロセスや多くの繰り返し工程などの必要がないので、容易にかつ短時間の作業により転位の少ない高品質の窒化物半導体膜を得ることができる。
技術概要
この技術は、基板上に窒化物半導体をエピタキシャル成長させて形成した窒化物半導体デバイスにおいて、基板が0.5°以上の微傾斜面を有する基板である窒化物半導体デバイスとする。さらに、基板上に窒化物半導体をエピタキシャル成長させて形成した窒化物半導体デバイスにおいて、エピタキシャル成長結晶層の少なくとも一つは多原子層高さのマクロステップを有している窒化物半導体デバイスとする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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