| 出願番号 |
特願2003-045863 |
| 出願日 |
2003/2/24 |
| 出願人 |
独立行政法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2004-259748 |
| 公開日 |
2004/9/16 |
| 登録番号 |
特許第4224579号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
電極架橋型分子素子の電極製造方法及び電極架橋型分子素子の製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
分子ダイオード、化学・生物センサー |
| 目的 |
電子ビームリソグラフィーを用いずに分子サイズのギャップを形成した電極構造を容易に作製することができる、電極架橋型分子素子の電極製造方法、及び該方法により製造された電極構造を有する電極架橋型分子素子の提供。 |
| 効果 |
電子ビームリソグラフィーを用いずに分子サイズのギャップを形成した電極構造を容易に作製することができる電極架橋型分子素子の電極製造方法、及び該方法により製造された電極構造を有する電極架橋型分子素子を提供することができる。 |
技術概要
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この技術では、基板上にフォトリソグラフィーにより所定の水平方向幅のレジストパターンを形成し、基板面に対してθ１（０°＜θ１＜９０°）の角度で導電性材料を斜め蒸着し、所定幅のギャップが形成されるように第１番目の電極層を形成した後、レジストパターンのリフトオフ処理を行う。次いで、再度フォトリソグラフィーによりスリットを持つレジストパターンをギャップをまたいで両側に形成し、θ１の方向とは反対の方向から基板面に対してθ２（０°＜θ２＜θ１＜９０°）の角度で導電性材料を斜め蒸着し、レジストパターンのリフトオフ処理を行うことによって、１０〜４０ｎｍ幅のギャップＧを有する電極構造を形成する。 |
| イメージ図 |
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| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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