圧電素子およびその製造方法

開放特許情報番号
L2004008616
開放特許情報登録日
2004/11/12
最新更新日
2015/9/14

基本情報

出願番号 特願2003-013934
出願日 2003/1/22
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2004-265899
公開日 2004/9/24
登録番号 特許第4328853号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 圧電素子およびその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 アコースティックエミッションセンサ、振動センサ、薄膜型圧電センサ
目的 高い双極子配向度を有する窒化アルミニウムや酸化亜鉛からなる薄膜を用いた高性能の圧電素子を提供すること、および高性能の圧電素子を容易かつ安価に製造することができる方法の提供。
効果 窒化アルミニウムおよび/または酸化亜鉛からなる圧電層は、耐熱性に優れ、高温でも圧電特性が劣化するようなことがない。また、加工性に優れ、薄膜化を図る上でも適しているため、圧電素子を小型化することができる。また、圧電素子の双極子配向度を55%以上とすることにより、圧電素子の圧電性を良好に保つことができる。
技術概要
 
この技術では、薄膜状の下部電極は、室温(25℃)以上150℃以下の範囲にある温度にて石英ガラス基板またはステンレス基板上に、製膜する。次に、下部電極上に、55%以上の双極子配向度を有する窒化アルミニウムの薄膜からなる圧電体薄膜を形成する。下部電極を形成する金属は、窒化アルミニウムの(0001)面の原子配列と同一配列であって、窒化アルミニウムの(0001)面の原子間隔とほぼ同じ原子間隔である結晶面が、基板に対して平行に配向していることがより好ましい。このような金属は、その結晶面がサファイア等の単結晶と同等の下地表面を形成するため、PVD法を用いてアルミニウムまたは窒化アルミニウムをターゲットとして下部電極上に薄膜を形成することにより、双極子配向した窒化アルミニウムからなる圧電体薄膜を得ることができる。そして、圧電体薄膜上に上部電極を形成する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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