圧電素子およびその製造方法

開放特許情報番号
L2004008615
開放特許情報登録日
2004/11/12
最新更新日
2015/9/14

基本情報

出願番号 特願2003-013939
出願日 2003/1/22
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2004-265900
公開日 2004/9/24
登録番号 特許第4328854号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 圧電素子およびその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 アコースティックエミッションセンサ、振動センサ、薄膜型圧電センサ
目的 単結晶体以外の基板上に高い双極子配向度を有するニオブ酸リチウム等からなる薄膜を形成し、高性能の圧電素子を提供すること、および高性能の圧電素子を容易かつ安価に製造することができる方法の提供。
効果 圧電素子は、キュリー温度の高い物質からなっているため、耐熱性に優れ、高温でも圧電特性が劣化するようなことがなく、圧電素子に用いても冷却手段なしで高温環境下での測定が可能となる。また、圧電素子の双極子配向度を55%以上とすることにより、圧電素子の圧電性を良好に保つことができる。
技術概要
 
この技術では、石英ガラス基板またはステンレス基板上に、下部電極を形成する。下部電極上に、スパッタリング法を用いて、双極子配向度が55%以上となるようにニオブ酸リチウム、ニオブ酸タンタル、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、ジルコン酸鉛およびチタン酸ジルコン酸鉛のいずれか1つ以上を製膜することにより、薄膜状の圧電体薄膜を形成する。そして、圧電体薄膜上に上部電極を形成する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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