Bi層状構造強誘電体薄膜及びその製造方法

開放特許情報番号
L2004008604
開放特許情報登録日
2004/11/12
最新更新日
2015/9/14

基本情報

出願番号 特願2003-059301
出願日 2003/3/6
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2004-273579
公開日 2004/9/30
登録番号 特許第4437219号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 Bi層状構造強誘電体薄膜及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 強誘電体メモリ薄膜、Bi系層状ペロブスカイト結晶構造
目的 Bi層状構造強誘電体化合物多結晶を、化学溶液堆積法を用いて成長させ、強誘電分極特性に有利な(200)、(206)、(111)、(220)結晶軸のいずれか又は複数が特に優先的に成長した薄膜強誘電体の合成。
効果 Bi層状構造強誘電体化合物多結晶を、化学溶液堆積法を用いて成長させ、強誘電分極特性に有利な(200)、(206)、(111)、(220)結晶軸のいずれか又は複数が優先的に成長した薄膜強誘電体を得ることができる。
技術概要
この技術は、Irの電極層を形成した基板上にBi↓(4−x)Pr↓xTi↓3O↓(12)(x=0.01〜1.0)の組成で表されるBi層状構造強誘電体薄膜である。xは0.01未満では主要な回折ピークとして(117)、(200)以外に(00L)が混合した配向を示すようになり、残留分極値が低下するので好ましくない。また、逆に1.0を超えると室温で相転移を起こして分極が消失し、これ以上の添加は室温での強誘電・圧電特性を発現する膜として意味を持たなくなる。したがって、xは0.01〜1.0の範囲とする。Bi層状構造強誘電体薄膜の代表的な例は、Bi↓(3.7)Pr↓(0.3)Ti↓3O↓(12)/Ir(111)/Ti/SiO↓2/Si(100)基板である。この薄膜は、Bi↑(3+)イオンをPr↑(3+)イオン置換した薄膜であり、基板としてIr/Ti/SiO↓2/Si基板を使用することができる。Ti薄膜の膜厚は1−1000nmの範囲で調節できる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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