結晶性層状シリケートの製造方法

開放特許情報番号
L2004008538
開放特許情報登録日
2004/10/29
最新更新日
2015/9/14

基本情報

出願番号 特願2003-054040
出願日 2003/2/28
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2004-262705
公開日 2004/9/24
登録番号 特許第4035606号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 結晶性層状シリケートの製造方法
技術分野 無機材料、有機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 簡便な方法で得られ、分離・吸着剤、イオン交換剤、クロマトグラフィー充填剤等として広い分野で利用される。
目的 短い反応時間で、低エネルギーコストで、良好な結晶性を有する層状シリケートを製造する方法の提供。
効果 例えば、ジオキサンを用いることにより5日間という短い時間で、非常に結晶性の良い層状シリケート化合物を合成でき、その工業的利用価値は極めて大きい。
技術概要
二酸化ケイ素(SiO↓2)及び/または下記行程中にそれを生ずる成分と、アミン成分と、環状構造を有する水溶性有機溶媒とを含んでなるアルカリ性の混合液を形成する混合行程を行い、水熱合成し、層状シリケートを得ることにより、[N(CH↓3)↓4]↓8[Si↓2↓4O↓5↓2(OH)↓4]・20H↓2Oの組成式を有する層状シリケート等の結晶性層状シリケートを製造する。尚、シリカ成分がシリカゲル等であり、水溶性有機溶媒がジオキサン等であり、120〜180℃で加熱され、また、シリカゲル1モルに対する四級アンモニウム塩のモル比が0.2〜1.5、水のモル比が15〜45、有機溶媒のモル比が2〜5である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT