SiCエピタキシャル薄膜の多形制御の方法及び同方法で作製したSiCエピタキシャル薄膜

開放特許情報番号
L2004008518
開放特許情報登録日
2004/10/29
最新更新日
2015/9/14

基本情報

出願番号 特願2003-044966
出願日 2003/2/21
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2004-250301
公開日 2004/9/9
登録番号 特許第4178231号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 SiCエピタキシャル薄膜の多形制御の方法及び同方法で作製したSiCエピタキシャル薄膜
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 高温半導体エレクトロニクスの基盤となるSiCエピタキシャル積層薄膜の作製に適用する。
目的 レーザ蒸発を行う際に、所定の基板温度に対してレーザ周波数を制御することにより、単一の多形からなるSiCエピタキシャル薄膜を作り分ける方法を提供する。
効果 SiCエピタキシャル薄膜の多形を任意に作り分けるできる、レーザ周波数を変化させて基板表面の実効温度を制御できる、ターゲートとは異なる多形のSiCエピタキシャル薄膜を異なる単結晶の基板上に作り分けできる等の効果を奏する。
技術概要
真空雰囲気内でSiCのターゲットにパルスレーザ光を照射してターゲットを蒸発させ、それを加熱した単結晶または結晶性基板の上に堆積させることによりSiC薄膜を作製する際に、所定の基板温度に対してレーザ周波数を変化させることにより加熱した基板の表面の実効温度を目的とする多形のヘテロエピタキシャル温度まで上昇させて低温相から高温相の任意の多形のSiCエピタキシャル薄膜を作り分ける。例えば、真空容器1、基板ヒーター2、基板(例:サファイア単結晶)3、ターゲット(例:6H−SiC)4、パルスレーザ(例:Nd−YAGレーザ)5、真空排気系9等が装備された装置を使用して行われる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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