高臨界電流密度を有する超伝導酸化物薄膜の作製方法

開放特許情報番号
L2004008508
開放特許情報登録日
2004/10/29
最新更新日
2015/9/14

基本情報

出願番号 特願2003-035361
出願日 2003/2/13
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2004-244263
公開日 2004/9/2
登録番号 特許第4852693号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 高臨界電流密度を有する超伝導酸化物薄膜の作製方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 大面積超伝導膜、表面コート超伝導テープ線材等に有用な超伝導酸化物薄膜の作製に適用する。
目的 基板上のバッファ層に特定の熱処理を施した後に超伝導薄膜を作成することにより高い臨界電流密度を有する超伝導酸化物薄膜を作製できる方法を提供する。
効果 バッファ層が熱処理によって原子レベルで平坦化されると共にナノメーターオーダーの表面粒子が形成され、それにより臨界電流密度の高い超伝導酸化物薄膜が可能になる効果を奏する。
技術概要
基材上に格子整合と拡散防止のためのバッファ層を作製し、その上に超伝導薄膜を作製するに際し、基材上にバッファ層を成膜した後で、その成膜温度よりも高温度、好ましくは900〜1200℃で熱処理を行い、次いでその上に超伝導薄膜を形成するようにする。例えば、基材がサファイアであり、拡散防止のためのバッファ層がCeO↓2である(RE)Ba↓2Cu↓3O↓7(RE=Y、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Yb)薄膜が例示される。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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