光誘導磁化反転を用いた高速不揮発性光メモリ素子およびその動作方法

開放特許情報番号
L2004008349
開放特許情報登録日
2004/10/22
最新更新日
2015/9/14

基本情報

出願番号 特願2004-197964
出願日 2004/7/5
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2006-018964
公開日 2006/1/19
登録番号 特許第4963007号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 光誘導磁化反転を用いた高速不揮発性光メモリ素子およびその動作方法
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 光コミュニケーションシステム、光アプリケーションシステム、高速光メモリ素子
目的 強磁性金属と半導体との混成物における光利得の強磁性金属の磁化方向への依存を用いた高速メモリ素子の読み取り方法の提供。
効果 非常に高速な光データの記録および読み取りが可能となる。又、光コミュニケーションリンクにおいて不揮発性メモリを用いることが可能となる。
技術概要
この技術では、強磁性金属が、高速メモリ素子として作用する光導波路に組み込まれる。強磁性金属は、片側は導体、もう片側は後に導体が続くトンネル障壁の間に挟まれ、2つの導体間には電圧が印加される。データの記録には、光誘導スピン偏極トンネリングおよびスピン蓄積が任意に用いられる。光誘導スピン偏極トンネリングは、円偏光の吸収により生ずる。蓄積されたスピンのトルクによって、強磁性金属の磁化は、反転される。読み取りには、半導体と強磁性金属との混成物におけるファラデー回転または非可逆性損失/利得が用いられる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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