非晶質窒化炭素膜及びその製造方法

開放特許情報番号
L2004008160
開放特許情報登録日
2004/9/17
最新更新日
2015/9/14

基本情報

出願番号 特願2003-005299
出願日 2003/1/14
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2004-217977
公開日 2004/8/5
登録番号 特許第4150789号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 非晶質窒化炭素膜及びその製造方法
技術分野 化学・薬品、無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造、表面処理、機械・部品の製造
適用製品 燃料電池用セパレータ、各種電極、スイッチ接点
目的 複雑形状の基材に、電気伝導性、耐食性、及び密着性に優れた非晶質窒化炭素膜を低コストで、効率良く生産する方法を提供する。
効果 溝加工を施した(複雑形状の)金属薄板上へ、高密着性、高電気導電性、高耐食性の非晶質窒化炭素膜を形成できる。
技術概要
本発明は、A)真空槽で基材をメタンガスプラズマ中に浸し、プラズマ中の正イオンを基材に照射し、表層にイオン注入層を形成する、B)炭化水素と窒素の混合ガスを真空槽に導入し、プラズマを生成させ、それらのラジカルを堆積させるとともに、基材に負電圧を印加し、正イオンを加速して基材に照射する、C)その際に、高電圧正パルス(0.5〜15kV)を基材に印加し、プラズマ中の電子を基材に照射することにより、表層のみをパルス的に活性化、及び高温状態にする、D)上記により、基材に炭化水素及び窒素のラジカル及びイオンを堆積させ、高導電性の非晶質窒化炭素膜を形成した高導電性非晶質窒化炭素膜−基材複合体を製造するものである。図に示すように、試料容器1(真空槽)、真空ポンプ2、メタン、炭化水素化合物及び窒素3、ガス流量計4、高周波電源5、メインバルブ6、高電圧パルス電源7、電流導入端子8、試料9(基材)、熱電対温度計、制御ユニット、及びパソコンから構成される装置が用いられる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 低温(300℃以下)で優れ、金属製基材との密着性に優れた非晶質窒化炭素薄膜を製造できる。
改善効果2 溝加工を施した(複雑形状の)金属薄板上へ、高密着性、高電気導電性、高耐食性の非晶質窒化炭素膜をコーティングする方法を提供できる。
改善効果3 燃料電池セパレート板、スイッチ接点などの複雑形状をした部材に有用な非晶質窒化炭素膜−基材複合体を提供できる。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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