シリコン触覚センサ装置

開放特許情報番号
L2004007809
開放特許情報登録日
2004/8/20
最新更新日
2015/11/2

基本情報

出願番号 特願2002-327084
出願日 2002/11/11
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2004-163166
公開日 2004/6/10
登録番号 特許第4040435号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 シリコン触覚センサ装置
技術分野 電気・電子、機械・加工、その他
機能 機械・部品の製造、検査・検出、その他
適用製品 シリコン触覚センサ装置、高度ロボット、接触物体の形状検知装置
目的 小型で、より高分解能を有する触覚センサ装置並びに微弱力から比較的強い力を加えた場合までの広い入力レンジでの使用が可能な触覚センサを提供する。
効果 接触対象物の形状を精密な精度で検知することができる。
技術概要
本発明のシリコン触覚センサ装置は、図に示すように、薄型シリコンダイヤフラム2と、この薄型シリコンダイヤフラム2の下部に配置される半導体歪検出素子アレイ3と、この半導体歪検出素子アレイ3の周辺に集積化される信号処理回路4と、薄型シリコンダイヤフラム2の下部に配置され半導体歪検出素子アレイ3に面する可動ギャップ7と、この可動ギャップ7が画成される支持基板1とを備え、薄型シリコンダイヤフラム2は接触した測定対象物8の形状に合わせて変形し、この薄型シリコンダイヤフラム2の形状の変形を信号処理回路4の信号処理によって電気的に検知することを特徴とする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 集積回路技術で形成した高密度歪検出アレイ回路全体を一枚の極薄シリコンダイヤフラム状に加工し、それ自身の変形を形状認識に用いるので、集積回路技術との整合性が高く、かつ従来にない高分解能にて触覚情報を検出可能となる。
改善効果2 物体との接触部を薄型化したシリコンチップの下部(裏面)とすることにより、集積回路表面に特別な保護膜等を形成することなく物体との接触・形状検知を行わせることが可能となる。
改善効果3 ダイヤフラム構造に可動ギャップとしての気体圧力室を空気などで加圧することで、ダイヤフラムを平面から飛び出した湾曲状態に保つことができ、物体との接触に適した状態にすることができる。
アピール内容 当ライセンス情報は、独立行政法人科学技術振興機構の『研究成果展開総合データベース(J−STORE)』に掲載中の情報をもとに作成したものです。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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