サファイア基板上高臨界面電流超電導酸化物薄膜及びその作製方法

開放特許情報番号
L2004007420
開放特許情報登録日
2004/8/13
最新更新日
2015/9/14

基本情報

出願番号 特願2004-111564
出願日 2004/4/5
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2005-290528
公開日 2005/10/20
登録番号 特許第4625922号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 サファイア基板上高臨界面電流超電導酸化物薄膜及びその作製方法
技術分野 無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 簡便な操作で得られ、超電導限流器、超電導マイクロ波フィルター等として広い分野で利用される。
目的 サファイア基板上に、比較的厚く、かつ、高臨界電流密度の(RE)BCO薄膜をクラックなしに作製することにより、高臨界面電流超電導酸化物薄膜及びその製造方法の提供。
効果 マイクロクラックが生成することなく膜厚を向上させることが可能となり、臨界面電流を大きく向上させることができ、その産業的利用価値は極めて大きい。
技術概要
サファイア単結晶のR面(1102)またはA面(1120)から意図的に数度ずらしてカット・研磨したオフカット基板、バッファ層、(RE)Ba↓2Cu↓3O↓7(REは、Y、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Ybから選ばれる1種の原子)薄膜からなる高臨界面電流超電導酸化物薄膜。尚、バッファ層がCeO↓2であり、また、REがYであり、更に、サファイア単結晶のR面(1102)またはA面(1120)から意図的に数度ずらしてカット・研磨したオフカット基板を用い、同基板の上にバッファ層を作製し、その上に(RE)Ba↓2Cu↓3O↓7(REは、Y、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Ybから選ばれる1種の原子)薄膜を作製することにより、高臨界面電流超電導酸化物薄膜を製造する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT