有機薄膜トランジスタ

開放特許情報番号
L2004007337
開放特許情報登録日
2004/8/13
最新更新日
2015/9/14

基本情報

出願番号 特願2004-086736
出願日 2004/3/24
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2005-277017
公開日 2005/10/6
登録番号 特許第4528961号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 有機薄膜トランジスタ
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体層、有機半導体、電流増幅比(オン/オフ比)
目的 電極と半導体層間に生じる抵抗を軽減させて、出力特性を向上させるとともに、ソース−ドレイン 間での漏洩電流を軽減させて、オン/オフ比を向上させる薄膜トランジスタの製造方法の提供。
効果 有機薄膜トランジスタにおいて、ソースとドレイン電極間距離すなわちチャネル長が短くした場合 に増大する漏洩電流を軽減させ、低電圧下で高い電流増幅比(オン/オフ比)を取ることを実現させるこ とができる。
技術概要
この技術は基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、第1半導体層、ソース又はドレイン電極、 絶縁層、第2半導体層及びドレイン又はソース電極を有する薄膜トランジスタにおいて、基板上の一部に ゲート電極を設け、ゲート電極及び基板を絶縁層により覆う。絶縁層上に第1半導体層を設け、第1半導 体層上であってゲート電極に対応する領域の一部にソース又はドレイン電極を設ける。ソース又はドレイ ン電極上のうち、ソース又はドレインがゲート電極と重なり合っている領域に対応する場所に絶縁層を設 け、第1半導体層及び絶縁層を第2半導体層により覆い、第2半導体層上であってソース又はドレイン電 極に対応する領域のうち、ソース又はドレイン電極がゲート電極と重なり合っている領域を覆うようにド レイン又はソース電極を形成する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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