| 出願番号 |
特願2004-081782 |
| 出願日 |
2004/3/22 |
| 出願人 |
独立行政法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2005-255507 |
| 公開日 |
2005/9/22 |
| 登録番号 |
特許第4366500号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
マイクロ波プラズマＣＶＤ装置の基板支持体 |
| 技術分野 |
電気・電子、金属材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造、表面処理 |
| 適用製品 |
構造を簡素化し、大電力・高周波電子素子、高温半導体素子、耐環境電子素子等の製造等に利用される。 |
| 目的 |
マイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用いて、ダイヤモンドを高速で成長させることができる手段の提供。 |
| 効果 |
反応容器内のプラズマ発生位置が基板上に位置するので、投入するマイクロ波電力を増大させることなくダイヤモンドの高速成長が可能となり、その利用価値は極めて大きい。 |
技術概要
 |
マイクロ波プラズマＣＶＤ装置の反応容器内に配置される基板支持体であって、基板を載置する載置部７ａを基板支持体の外周縁部７ｂから隔離した位置に有し、載置部７ａが基板支持体の外周縁部７ｂに対して隆起した形状をなしている。尚、載置部７ａが基板支持体の外周縁部７ｂから滑らかな、湾曲凸面もしくは湾曲凹面である傾斜面を介して隆起しており、また、載置部７ａが、基板支持体の外周縁部７ｂから水平面を介して水平面から隆起しており、また、基板支持体の高さが、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置によって発生するマイクロ波の自由空間波長をλとした場合に、λ／２５〜λ／２である。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)